증강현실·급속충전…스냅드래곤 835의 노림수

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퀄컴이 1월 5∼8일까지 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2017 기간 중 최상위 SoC인 스냅드래곤 835에 대한 세부 사항을 공개했다. 스냅드래곤 835는 퀄컴이 지난해 모델명 등 일부 정보를 공개한 바 있다. 하지만 이번에는 기술 정보와 성능을 추가 공개한 것.

스냅드래곤 835는 기존 스냅드래곤 820과 견줘 소비전력은 25%까지 줄이는 반면 CPU 처리 속도는 20%, GPU 성능은 25% 끌어올렸다. 반도체 패키징 크기 역시 스냅드래곤 820과 비교해 35% 줄었다. 칩 자체가 작아진 만큼 기판도 덩달아 줄고 배터리 용량을 늘릴 수 있는 여력을 좀더 확보할 수 있다는 장점을 기대할 수 있다.

퀄컴은 CPU의 경우 코어 수가 기존 스냅드래곤 810은 8개였다가 820을 내놓으면서 자체 개발한 크라이요(Kryo)로 코어당 성능은 높였지만 코어 전체 수는 4개로 줄인 바 있다. 그런데 이번 스냅드래곤 835는 크라이요 280 코어 8개를 탑재했다. 다만 동작 클록은 고성능 2.45GHz와 저전력 1.9GHz로 각각 4개씩 나눠서 부하에 따라 전환하는 빅리틀 방식을 채택했다.

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최근 트렌드도 적극 반영하고 있다. GPU에선 구글의 가상현실 플랫폼인 데이드림(Daydream)과 HDR10 사양을 지원한다. 무선 통신은 LTE로 이론상 최고치인 1Gbps 속도를 지원하며 블루투스는 5.0 외에 외부 칩으로 와이기그, IEEE802.11ad 지원을 할 수 있다.

카메라용 DSP는 전자식 손떨림 보정 정밀도를 기존보다 높였고 후면 듀얼 카메라의 오토포커스 속도를 끌어올렸다. 덕분에 어두운 곳에서 촬영을 해도 노이즈 감소를 기대할 수 있다. 오디오는 32비트, 384kHz 고해상도 음원과 3D 객체 오디오 기술, DSD 음원을 PCM으로 변환하지 않고 기본 재생할 수 있다.

스냅드래곤 835는 급속 충전 기술도 퀵차지 4.0(Quick Charge 4)을 지원한다. USB 타입C 단자나 USB PD 사양을 만족하며 기존 퀵차지 3.0보다 충전 속도는 20% 빨라져 최대 효율 30%를 기대할 수 있다고 한다. 배터리가 0% 상태라면 15분 가량이면 50% 충전이 가능하다고 한다.

스냅드래곤 835는 CPU와 GPU 쪽에 한정되지 않고 스마트폰에서 이용할 수 있는 기능 전반에 대한 성능 향상을 도모하고 있다고 할 수 있다. 이런 전방위 성능 향상에는 제조공정을 10nm로 미세화하고 스냅드래곤 820에도 채택했던 3차원 구조 반도체 기술인 핀펫(FinFET) 기술을 반영한 것도 한 몫 한다. 참고로 스냅드래곤 835의 생산은 삼성반도체가 맡는다. 스냅드래곤 835를 탑재한 제품은 올해 초반부터 나온다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.

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월간 아하PC, HowPC 잡지시대를 거쳐 지디넷, 전자신문인터넷, 컨슈머저널 이버즈 등 온라인 IT 매체에서 '기술시대'를 지켜봐 왔다. 여전히 활력 넘치게 변화하는 이 시장이 궁금하다.

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